IAUCN10S5L110TATMA1 vs IAUC100N10S5L054ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUCN10S5L110TATMA1 제조: Infineon 및 IAUC100N10S5L054ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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IAUCN10S5L110TATMA1 IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L110TATMA1 ✓ 활성
Infineon
IAUC100N10S5L054ATMA1 IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUCN10S5L110TATMA1 IAUC100N10S5L054ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.08 $1.92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS 5 (IAUC automotive family)
Technology N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level OptiMOS 5 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 61 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.3 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Power Dissipation (PD) at Tc 88 W —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
패키지 PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled PG-TDSON-8-34 (surface mount)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 MSL1 (260°C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Extended Qualification —
RoHS 상태 Compliant Compliant
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Gate-to-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS value]
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 101 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 130 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 5.4 mΩ
동작 온도 범위 — -55°C to +175°C
Qualification — AEC-Q101 (automotive)

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