IAUCN10S5L110TATMA1 vs IAUC100N10S5L054ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN10S5L110TATMA1 por Infineon e IAUC100N10S5L054ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC100N10S5L054ATMA1 IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN10S5L110TATMA1 IAUC100N10S5L054ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,08 $1,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS 5 (IAUC automotive family)
Technology N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level OptiMOS 5 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 61 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.3 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Power Dissipation (PD) at Tc 88 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Encapsulamento PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled PG-TDSON-8-34 (surface mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 (260°C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Extended Qualification —
Status RoHS Compliant Compliant
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Gate-to-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS value]
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 101 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 130 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 5.4 mΩ
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +175°C
Qualification — AEC-Q101 (automotive)

Fichas técnicas e recursos

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