IAUCN10S5L110TATMA1 vs IAUC100N10S5L054ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN10S5L110TATMA1 por Infineon y IAUC100N10S5L054ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUCN10S5L110TATMA1 IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L110TATMA1 ✓ Activo
Infineon
IAUC100N10S5L054ATMA1 IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN10S5L110TATMA1 IAUC100N10S5L054ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,08 $1,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS 5 (IAUC automotive family)
Technology N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level OptiMOS 5 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 61 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.3 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Power Dissipation (PD) at Tc 88 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Encapsulado PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled PG-TDSON-8-34 (surface mount)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL1 (260°C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Extended Qualification —
Estado RoHS Compliant Compliant
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Gate-to-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS value]
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 101 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 130 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 5.4 mΩ
Rango de temperatura de funcionamiento — -55°C to +175°C
Qualification — AEC-Q101 (automotive)

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