IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN10S7L180ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN10S5L280DATMA1 von Infineon und IAUCN10S7L180ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S7L180ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,62 $0,58
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array Single Quad Drain Triple Source
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Gehäuse PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) Yes
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction) —
Pin-Anzahl 8 —
MSL-Level 1 —
RoHS-Status Compliant EU RoHS Compliant with Exemption
Packing Tape & Reel (T&R) —
Series — OptiMOS™ 7
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Number of Channels — 1
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 39 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 58 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 16.1 mΩ @ VGS=10 V
Typical RDS(on) — 18 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.6 V
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (±16 V per JLCPCB listing)
Total Gate Charge (Qg) — 11 nC
Input Capacitance (Ciss) — 272 pF
Output Capacitance (Coss) — 668 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7 pF
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
Channel Mode — Enhancement
Part Status — Active

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