IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN10S7L180ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUCN10S5L280DATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN10S7L180ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IAUCN10S5L280DATMA1 | IAUCN10S7L180ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.62 | $0.58 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | Single Quad Drain Triple Source |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | 23 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 38 W | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8-61 (SSO8) | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) | Yes |
| Technology | OptiMOS 5 Trench MOSFET | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +175C (junction) | — |
| 핀 수 | 8 | — |
| MSL 레벨 | 1 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | EU RoHS Compliant with Exemption |
| Packing | Tape & Reel (T&R) | — |
| Series | — | OptiMOS™ 7 |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Number of Channels | — | 1 |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 39 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 58 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 16.1 mΩ @ VGS=10 V |
| Typical RDS(on) | — | 18 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.6 V |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V (±16 V per JLCPCB listing) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 11 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 272 pF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 668 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 7 pF |
| 동작 접합 온도 | — | -55 °C to +175 °C |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Part Status | — | Active |