IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN10S7L180ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon e IAUCN10S7L180ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S7L180ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,62 $0,58
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array Single Quad Drain Triple Source
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) Yes
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) —
Contagem de pinos 8 —
Nível MSL 1 —
Status RoHS Compliant EU RoHS Compliant with Exemption
Packing Tape & Reel (T&R) —
Series — OptiMOS™ 7
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Number of Channels — 1
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 39 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 58 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 16.1 mΩ @ VGS=10 V
Typical RDS(on) — 18 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.6 V
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (±16 V per JLCPCB listing)
Total Gate Charge (Qg) — 11 nC
Input Capacitance (Ciss) — 272 pF
Output Capacitance (Coss) — 668 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7 pF
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Channel Mode — Enhancement
Part Status — Active

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação