IAUCN10S7N021ATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN10S7N021ATMA1 von Infineon und BSC0906NSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN10S7N021ATMA1 BSC0906NSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,05 $0,48
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) OptiMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 175 A 63 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10 V 2.1 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ 3.2 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V 105 nC —
Input Capacitance (Ciss) 2.98 nF —
Output Capacitance (Coss) 32 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 7.153 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 217 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (junction, typical)
Pin-Anzahl — 8

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