IAUCN10S7N021ATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN10S7N021ATMA1 par Infineon et BSC0906NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN10S7N021ATMA1 BSC0906NSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,05 $0,48
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) OptiMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 175 A 63 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10 V 2.1 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ 3.2 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V 105 nC —
Input Capacitance (Ciss) 2.98 nF —
Output Capacitance (Coss) 32 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 7.153 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 217 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (junction, typical)
Nombre de broches — 8

Fiches techniques et ressources

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