IAUCN10S7N021ATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN10S7N021ATMA1 por Infineon y BSC0906NSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN10S7N021ATMA1 BSC0906NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,05 $0,48
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) OptiMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 175 A 63 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10 V 2.1 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ 3.2 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V 105 nC —
Input Capacitance (Ciss) 2.98 nF —
Output Capacitance (Coss) 32 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 7.153 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 217 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Encapsulado PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (junction, typical)
Recuento de pines — 8

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