IAUS260N10S5N019TATMA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUS260N10S5N019TATMA1 von Infineon und IGLR70R200D2SXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUS260N10S5N019TATMA1 IGLR70R200D2SXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,95 $1,24
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) 260 A (Tj) —
On-State Resistance (Rds(on)) 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs) —
Power Dissipation (Pd) 300 W (Tc) —
Gehäuse PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled)
Montageart Surface Mount —
Pin-Anzahl 16 —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C (Tj) -40 °C to +150 °C
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Technology OptiMOS 5 trench-gate GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode)
Automotive Qualified Yes (IAUS prefix denotes automotive grade) —
RoHS-Status Compliant —
Product Family — CoolGaN G5
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 700 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 9.3 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 34 W
On-Resistance (RDS(on), max) — 200 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 1.26 nC
Output Capacitance (Coss) — 91 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 0.21 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.2 V
RoHS — Compliant

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