IAUS260N10S5N019TATMA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUS260N10S5N019TATMA1 por Infineon e IGLR70R200D2SXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUS260N10S5N019TATMA1 IGLR70R200D2SXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,95 $1,24
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) 260 A (Tj) —
On-State Resistance (Rds(on)) 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs) —
Power Dissipation (Pd) 300 W (Tc) —
Encapsulamento PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled)
Tipo de montagem Surface Mount —
Contagem de pinos 16 —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C (Tj) -40 °C to +150 °C
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Technology OptiMOS 5 trench-gate GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode)
Automotive Qualified Yes (IAUS prefix denotes automotive grade) —
Status RoHS Compliant —
Product Family — CoolGaN G5
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 700 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 9.3 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 34 W
On-Resistance (RDS(on), max) — 200 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 1.26 nC
Output Capacitance (Coss) — 91 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 0.21 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.2 V
RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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