IAUS260N10S5N019TATMA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUS260N10S5N019TATMA1 par Infineon et IGLR70R200D2SXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 - 100V 260A 1.9mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUS260N10S5N019TATMA1 | IGLR70R200D2SXUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,95 | $1,24 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 5 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 260 A (Tj) | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 300 W (Tc) | — |
| Boîtier | PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Nombre de broches | 16 | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C (Tj) | -40 °C to +150 °C |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench-gate | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) |
| Automotive Qualified | Yes (IAUS prefix denotes automotive grade) | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Product Family | — | CoolGaN G5 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 9.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 34 W |
| On-Resistance (RDS(on), max) | — | 200 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 1.26 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 91 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 0.21 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | — | 1.2 V |
| RoHS | — | Compliant |