IAUS300N08S5N011TATMA1 vs IAUT300N08S5N011ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUS300N08S5N011TATMA1 von Infineon und IAUT300N08S5N011ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUS300N08S5N011TATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,65 $5,40
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS-5 (trench MOSFET) OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 300 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 375 W —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 1.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3 V (max) 3.8 V
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V 231 nC —
Output Capacitance (C_OSS) 130 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) 16.25 nF (typ) —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C (Tj) -55C to +175C
Gehäuse PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16) PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Number of Channels 1 —
RoHS-Status Compliant —
Automotive Qualified Yes (Infineon automotive part) —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) — 300 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 410 A (Tj)
R_DS(on) max — 1.10 mOhm at V_GS=10 V
Total Gate Charge (Q_g) — 231 nC at V_GS=10 V
Input Capacitance (C_iss) — 16.25 nF
Output Capacitance (C_oss) — 2.6 nF
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) — 130 pF
Power Dissipation (P_D) — 375 W at T_C=25C
MSL-Level — 1
Qualification — Automotive (AEC-Q101)

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