IAUS300N08S5N011TATMA1 vs IAUT300N08S5N011ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUS300N08S5N011TATMA1 por Infineon e IAUT300N08S5N011ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUS300N08S5N011TATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,65 $5,40
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS-5 (trench MOSFET) OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 300 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 375 W —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 1.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3 V (max) 3.8 V
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V 231 nC —
Output Capacitance (C_OSS) 130 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) 16.25 nF (typ) —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C (Tj) -55C to +175C
Encapsulamento PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16) PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Number of Channels 1 —
Status RoHS Compliant —
Automotive Qualified Yes (Infineon automotive part) —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) — 300 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 410 A (Tj)
R_DS(on) max — 1.10 mOhm at V_GS=10 V
Total Gate Charge (Q_g) — 231 nC at V_GS=10 V
Input Capacitance (C_iss) — 16.25 nF
Output Capacitance (C_oss) — 2.6 nF
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) — 130 pF
Power Dissipation (P_D) — 375 W at T_C=25C
Nível MSL — 1
Qualification — Automotive (AEC-Q101)

Fichas técnicas e recursos

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