IAUS300N08S5N011TATMA1 vs IAUT300N08S5N011ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUS300N08S5N011TATMA1 제조: Infineon 및 IAUT300N08S5N011ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUS300N08S5N011TATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.65 $5.40
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS-5 (trench MOSFET) OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 300 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 375 W —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 1.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3 V (max) 3.8 V
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V 231 nC —
Output Capacitance (C_OSS) 130 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) 16.25 nF (typ) —
동작 온도 범위 -55 C to +175 C (Tj) -55C to +175C
패키지 PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16) PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Number of Channels 1 —
RoHS 상태 Compliant —
Automotive Qualified Yes (Infineon automotive part) —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) — 300 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 410 A (Tj)
R_DS(on) max — 1.10 mOhm at V_GS=10 V
Total Gate Charge (Q_g) — 231 nC at V_GS=10 V
Input Capacitance (C_iss) — 16.25 nF
Output Capacitance (C_oss) — 2.6 nF
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) — 130 pF
Power Dissipation (P_D) — 375 W at T_C=25C
MSL 레벨 — 1
Qualification — Automotive (AEC-Q101)

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