IAUS300N08S5N011TATMA1 vs IAUT300N08S5N011ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUS300N08S5N011TATMA1 par Infineon et IAUT300N08S5N011ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUS300N08S5N011TATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,65 $5,40
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS-5 (trench MOSFET) OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 300 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 375 W —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 1.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3 V (max) 3.8 V
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V 231 nC —
Output Capacitance (C_OSS) 130 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) 16.25 nF (typ) —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C (Tj) -55C to +175C
Boîtier PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16) PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Number of Channels 1 —
Statut RoHS Compliant —
Automotive Qualified Yes (Infineon automotive part) —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) — 300 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 410 A (Tj)
R_DS(on) max — 1.10 mOhm at V_GS=10 V
Total Gate Charge (Q_g) — 231 nC at V_GS=10 V
Input Capacitance (C_iss) — 16.25 nF
Output Capacitance (C_oss) — 2.6 nF
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) — 130 pF
Power Dissipation (P_D) — 375 W at T_C=25C
Niveau MSL — 1
Qualification — Automotive (AEC-Q101)

Fiches techniques et ressources

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