IAUS300N08S5N011TATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUS300N08S5N011TATMA1 von Infineon und ISC037N12NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUS300N08S5N011TATMA1 ISC037N12NM6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,65 $3,62
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS-5 (trench MOSFET) OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 300 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 375 W —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 1.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3 V (max) —
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V 231 nC —
Output Capacitance (C_OSS) 130 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) 16.25 nF (typ) —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C (Tj) -55C to +175C (junction)
Gehäuse PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Number of Channels 1 —
RoHS-Status Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (Infineon automotive part) —
Drain-Source Voltage (Vds) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 19.2 A
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc — 163 A
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V — 3.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 214 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)

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