IAUS300N08S5N011TATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUS300N08S5N011TATMA1 par Infineon et ISC037N12NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUS300N08S5N011TATMA1 ISC037N12NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,65 $3,62
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS-5 (trench MOSFET) OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 300 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 375 W —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 1.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3 V (max) —
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V 231 nC —
Output Capacitance (C_OSS) 130 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) 16.25 nF (typ) —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C (Tj) -55C to +175C (junction)
Boîtier PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Number of Channels 1 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (Infineon automotive part) —
Drain-Source Voltage (Vds) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 19.2 A
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc — 163 A
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V — 3.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 214 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Fiches techniques et ressources

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