IAUS300N08S5N011TATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUS300N08S5N011TATMA1 por Infineon e ISC037N12NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUS300N08S5N011TATMA1 ISC037N12NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,65 $3,62
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS-5 (trench MOSFET) OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 300 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 375 W —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 1.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3 V (max) —
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V 231 nC —
Output Capacitance (C_OSS) 130 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) 16.25 nF (typ) —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C (Tj) -55C to +175C (junction)
Encapsulamento PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Number of Channels 1 —
Status RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (Infineon automotive part) —
Drain-Source Voltage (Vds) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 19.2 A
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc — 163 A
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V — 3.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 214 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Fichas técnicas e recursos

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