IAUTN12S5N017ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUTN12S5N017ATMA1 von Infineon und IAUCN10S5L280DATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUTN12S5N017ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,83 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 120 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 314 A —
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) 1.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) 2.5 V typical (range per datasheet) —
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) per datasheet curve (typ. ~150 nC class) —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (junction) -55C to +175C (junction)
Gehäuse PG-HSOF-8-1 (HSOF-8, surface mount) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Mounting Position Kelvin source pin (pin 2) for high-frequency layouts —
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 5 Trench MOSFET
Qualification Automotive grade (per Infineon part page, AEC-Q101 expected for the family) —
RoHS-Status Compliant (per distributor listings) Compliant
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020, by package) 1
Product Family — OptiMOS 5
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Pin-Anzahl — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

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