IAUTN12S5N017ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUTN12S5N017ATMA1 par Infineon et IAUCN10S5L280DATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUTN12S5N017ATMA1 - 120V 1.7mΩ N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUTN12S5N017ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUTN12S5N017ATMA1 | IAUCN10S5L280DATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,83 | $1,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 5 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 314 A | — |
| On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) | 1.7 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | 2.5 V typical (range per datasheet) | — |
| Gate Charge (Q<sub>g</sub>) | per datasheet curve (typ. ~150 nC class) | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (junction) | -55C to +175C (junction) |
| Boîtier | PG-HSOF-8-1 (HSOF-8, surface mount) | PG-TDSON-8-61 (SSO8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Mounting Position | Kelvin source pin (pin 2) for high-frequency layouts | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS 5 Trench MOSFET |
| Qualification | Automotive grade (per Infineon part page, AEC-Q101 expected for the family) | — |
| Statut RoHS | Compliant (per distributor listings) | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, by package) | 1 |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | — | 23 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 38 W |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Packing | — | Tape & Reel (T&R) |