IAUZ18N10S5L420ATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUZ18N10S5L420ATMA1 von Infineon und IAUZ40N10S5N130ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,48 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 100V —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 42 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V to 2.7 V —
Total Gate Charge (Qg) typ. 8.5 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 5 (super-junction trench)
Configuration Single with built-in diode —
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level 1 —
Part Number — IAUZ40N10S5N130ATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
RDS(on) max at VGS=10V — 13 mΩ
RDS(on) typical — 10 mΩ
Maximum Power Dissipation (Tc) — 68 W
Betriebstemperaturbereich — -55°C to +175°C (TJ)
Lead-Free / RoHS — ROHS3 Compliant

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