IAUZ18N10S5L420ATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUZ18N10S5L420ATMA1 제조: Infineon 및 IAUZ40N10S5N130ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IAUZ18N10S5L420ATMA1 | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.48 | $0.52 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 100V | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 42 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V to 2.7 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ. | 8.5 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 30 W | — |
| 동작 접합 온도 | -55 °C to +175 °C | — |
| 패키지 | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm | PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Technology | OptiMOS 5 trench | OptiMOS 5 (super-junction trench) |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| MSL 레벨 | 1 | — |
| Part Number | — | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 13 mΩ |
| RDS(on) typical | — | 10 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 68 W |
| 동작 온도 범위 | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| Lead-Free / RoHS | — | ROHS3 Compliant |