IAUZ18N10S5L420ATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUZ18N10S5L420ATMA1 par Infineon et IAUZ40N10S5N130ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 100V —
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 42 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V to 2.7 V —
Total Gate Charge (Qg) typ. 8.5 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 5 (super-junction trench)
Configuration Single with built-in diode —
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL 1 —
Part Number — IAUZ40N10S5N130ATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
RDS(on) max at VGS=10V — 13 mΩ
RDS(on) typical — 10 mΩ
Maximum Power Dissipation (Tc) — 68 W
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +175°C (TJ)
Lead-Free / RoHS — ROHS3 Compliant

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