IAUZ18N10S5L420ATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUZ18N10S5L420ATMA1 por Infineon e IAUZ40N10S5N130ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 100V —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 42 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V to 2.7 V —
Total Gate Charge (Qg) typ. 8.5 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 5 (super-junction trench)
Configuration Single with built-in diode —
Status RoHS Compliant —
Nível MSL 1 —
Part Number — IAUZ40N10S5N130ATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
RDS(on) max at VGS=10V — 13 mΩ
RDS(on) typical — 10 mΩ
Maximum Power Dissipation (Tc) — 68 W
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +175°C (TJ)
Lead-Free / RoHS — ROHS3 Compliant

Fichas técnicas e recursos

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