IAUZ30N08S5N186ATMA1 vs IAUC50N08S5L096ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUZ30N08S5N186ATMA1 von Infineon und IAUC50N08S5L096ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUZ30N08S5N186ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,48 $0,98
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 30 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 41 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (automotive) -55°C to +175°C
Gehäuse PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 50 A (Tc)
Pulsed Drain Current (IDM) — 200 A
On-Resistance (RDS(on)) — 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Power Dissipation (PD) — 60 W (Tc)
Lead-Free — Yes

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