IAUZ30N08S5N186ATMA1 vs IAUC50N08S5L096ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUZ30N08S5N186ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC50N08S5L096ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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IAUZ30N08S5N186ATMA1 IAUZ30N08S5N186ATMA1 - 80V 18.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N08S5N186ATMA1 - 80V 18.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N08S5N186ATMA1 ✓ 활성
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IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUZ30N08S5N186ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.48 $0.98
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 30 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 41 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C (automotive) -55°C to +175°C
패키지 PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 50 A (Tc)
Pulsed Drain Current (IDM) — 200 A
On-Resistance (RDS(on)) — 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Power Dissipation (PD) — 60 W (Tc)
Lead-Free — Yes

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