IAUZ30N08S5N186ATMA1 vs IAUC50N08S5L096ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUZ30N08S5N186ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC50N08S5L096ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUZ30N08S5N186ATMA1 IAUZ30N08S5N186ATMA1 - 80V 18.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N08S5N186ATMA1 - 80V 18.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N08S5N186ATMA1 ✓ 生産中
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IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUZ30N08S5N186ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.48 $0.98
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 30 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 41 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (automotive) -55°C to +175°C
パッケージ PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 50 A (Tc)
Pulsed Drain Current (IDM) — 200 A
On-Resistance (RDS(on)) — 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Power Dissipation (PD) — 60 W (Tc)
Lead-Free — Yes

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