IAUZ30N08S5N186ATMA1 vs IAUCN08S7N024ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUZ30N08S5N186ATMA1 von Infineon und IAUCN08S7N024ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUZ30N08S5N186ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,48 $0,89
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench) OptiMOS 7 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 30 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 41 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (automotive) -55C to +175C (typical automotive)
Gehäuse PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — Automotive OptiMOS 7 (80 V)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 165 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 2.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Verlustleistung (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C]
RoHS Compliance — Compliant
Typical Application — 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch

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