IAUZ30N08S5N186ATMA1 vs IAUCN08S7N024ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUZ30N08S5N186ATMA1 par Infineon et IAUCN08S7N024ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUZ30N08S5N186ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,89
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench) OptiMOS 7 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 30 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 41 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (automotive) -55C to +175C (typical automotive)
Boîtier PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — Automotive OptiMOS 7 (80 V)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 165 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 2.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Dissipation de puissance (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C]
RoHS Compliance — Compliant
Typical Application — 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis