IAUZ30N08S5N186ATMA1 vs IAUCN08S7N024ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUZ30N08S5N186ATMA1 por Infineon e IAUCN08S7N024ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUZ30N08S5N186ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,89
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench) OptiMOS 7 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 30 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 41 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (automotive) -55C to +175C (typical automotive)
Encapsulamento PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — Automotive OptiMOS 7 (80 V)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 165 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 2.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Dissipação de potência (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C]
RoHS Compliance — Compliant
Typical Application — 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch

Fichas técnicas e recursos

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