IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IAUCN08S7N024ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUZ40N10S5N130ATMA1 von Infineon und IAUCN08S7N024ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,52 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUZ40N10S5N130ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (super-junction trench) OptiMOS 7 trench
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
RDS(on) max at VGS=10V 13 mΩ —
RDS(on) typical 10 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc) 68 W —
Gehäuse PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C (TJ) -55C to +175C (typical automotive)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Lead-Free / RoHS ROHS3 Compliant —
Series — Automotive OptiMOS 7 (80 V)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 165 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 2.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Verlustleistung (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C]
RoHS Compliance — Compliant
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Typical Application — 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch

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