IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IAUCN08S7N024ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUZ40N10S5N130ATMA1 por Infineon e IAUCN08S7N024ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,52 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUZ40N10S5N130ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (super-junction trench) OptiMOS 7 trench
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
RDS(on) max at VGS=10V 13 mΩ —
RDS(on) typical 10 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc) 68 W —
Encapsulamento PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C (TJ) -55C to +175C (typical automotive)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Lead-Free / RoHS ROHS3 Compliant —
Series — Automotive OptiMOS 7 (80 V)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 165 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 2.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Dissipação de potência (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C]
RoHS Compliance — Compliant
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Typical Application — 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch

Fichas técnicas e recursos

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