IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IAUCN08S7N024ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUZ40N10S5N130ATMA1 par Infineon et IAUCN08S7N024ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,52 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUZ40N10S5N130ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (super-junction trench) OptiMOS 7 trench
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
RDS(on) max at VGS=10V 13 mΩ —
RDS(on) typical 10 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc) 68 W —
Boîtier PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C (TJ) -55C to +175C (typical automotive)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Lead-Free / RoHS ROHS3 Compliant —
Series — Automotive OptiMOS 7 (80 V)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 165 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 2.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Dissipation de puissance (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C]
RoHS Compliance — Compliant
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Typical Application — 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch

Fiches techniques et ressources

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