IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IAUCN08S7N024ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUZ40N10S5N130ATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN08S7N024ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N10S5N130ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.52 $0.89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUZ40N10S5N130ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (super-junction trench) OptiMOS 7 trench
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
RDS(on) max at VGS=10V 13 mΩ —
RDS(on) typical 10 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc) 68 W —
패키지 PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55°C to +175°C (TJ) -55C to +175C (typical automotive)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Lead-Free / RoHS ROHS3 Compliant —
Series — Automotive OptiMOS 7 (80 V)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 165 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 2.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
전력 손실 (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C]
RoHS Compliance — Compliant
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Typical Application — 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch

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