IGLR70R200D2SXUMA1 vs IAUS260N10S5N019TATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IGLR70R200D2SXUMA1 von Infineon und IAUS260N10S5N019TATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IGLR70R200D2SXUMA1 IAUS260N10S5N019TATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,24 $2,95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN G5 —
Channel Type N-Channel —
Technology GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) OptiMOS 5 trench-gate
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 9.3 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 34 W —
On-Resistance (RDS(on), max) 200 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 1.26 nC —
Output Capacitance (Coss) 91 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 0.21 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 1.2 V —
Betriebstemperaturbereich -40 °C to +150 °C -55 C to +175 C (Tj)
Gehäuse PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled)
RoHS Compliant —
Product Series — OptiMOS 5
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) — 260 A (Tj)
On-State Resistance (Rds(on)) — 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs)
Power Dissipation (Pd) — 300 W (Tc)
Montageart — Surface Mount
Pin-Anzahl — 16
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Automotive Qualified — Yes (IAUS prefix denotes automotive grade)
RoHS-Status — Compliant

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