IGLR70R200D2SXUMA1 vs IAUS260N10S5N019TATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IGLR70R200D2SXUMA1 por Infineon y IAUS260N10S5N019TATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IGLR70R200D2SXUMA1 IAUS260N10S5N019TATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,24 $2,95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN G5 —
Channel Type N-Channel —
Technology GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) OptiMOS 5 trench-gate
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 9.3 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 34 W —
On-Resistance (RDS(on), max) 200 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 1.26 nC —
Output Capacitance (Coss) 91 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 0.21 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 1.2 V —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 °C to +150 °C -55 C to +175 C (Tj)
Encapsulado PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled)
RoHS Compliant —
Product Series — OptiMOS 5
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) — 260 A (Tj)
On-State Resistance (Rds(on)) — 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs)
Power Dissipation (Pd) — 300 W (Tc)
Tipo de montaje — Surface Mount
Recuento de pines — 16
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Automotive Qualified — Yes (IAUS prefix denotes automotive grade)
Estado RoHS — Compliant

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