IGLR70R200D2SXUMA1 vs IAUS260N10S5N019TATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IGLR70R200D2SXUMA1 par Infineon et IAUS260N10S5N019TATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IGLR70R200D2SXUMA1 IAUS260N10S5N019TATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,24 $2,95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN G5 —
Channel Type N-Channel —
Technology GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) OptiMOS 5 trench-gate
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 9.3 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 34 W —
On-Resistance (RDS(on), max) 200 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 1.26 nC —
Output Capacitance (Coss) 91 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 0.21 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 1.2 V —
Plage de température de fonctionnement -40 °C to +150 °C -55 C to +175 C (Tj)
Boîtier PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled)
RoHS Compliant —
Product Series — OptiMOS 5
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) — 260 A (Tj)
On-State Resistance (Rds(on)) — 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs)
Power Dissipation (Pd) — 300 W (Tc)
Type de montage — Surface Mount
Nombre de broches — 16
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Automotive Qualified — Yes (IAUS prefix denotes automotive grade)
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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