IGLR70R200D2SXUMA1 vs IAUS260N10S5N019TATMA1 比較
詳細な並列比較: IGLR70R200D2SXUMA1 メーカー: Infineon および IAUS260N10S5N019TATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 - 100V 260A 1.9mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | IGLR70R200D2SXUMA1 | IAUS260N10S5N019TATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.24 | $2.95 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN G5 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) | OptiMOS 5 trench-gate |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 9.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 34 W | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 200 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 1.26 nC | — |
| Output Capacitance (Coss) | 91 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 0.21 pF | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 1.2 V | — |
| 動作温度範囲 | -40 °C to +150 °C | -55 C to +175 C (Tj) |
| パッケージ | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) | PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) |
| RoHS | Compliant | — |
| Product Series | — | OptiMOS 5 |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 260 A (Tj) |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 300 W (Tc) |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| ピン数 | — | 16 |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Automotive Qualified | — | Yes (IAUS prefix denotes automotive grade) |
| RoHS ステータス | — | Compliant |