IPB017N10N5LFATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB017N10N5LFATMA1 von Infineon und BSC027N04LSGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB017N10N5LFATMA1 BSC027N04LSGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,05 $0,54
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 Linear FET —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) OptiMOS 3 (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 180 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C 313 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V 1.7 mΩ (max) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction) -55°C to +150°C
Gehäuse / Bauform PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 (unlimited) 1
Avalanche Rated Yes —
Linear-Mode (SOA) Optimized Yes (OptiMOS Linear FET) —
Product Family — OptiMOS 3
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
Verlustleistung (TC=25°C) — 83 W
Gehäuse — PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Halogenfrei — Yes

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