IPB017N10N5LFATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB017N10N5LFATMA1 par Infineon et BSC027N04LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB017N10N5LFATMA1 BSC027N04LSGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,05 $0,54
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 Linear FET —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) OptiMOS 3 (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 180 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C 313 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V 1.7 mΩ (max) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55°C to +150°C
Boîtier / Format PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (unlimited) 1
Avalanche Rated Yes —
Linear-Mode (SOA) Optimized Yes (OptiMOS Linear FET) —
Product Family — OptiMOS 3
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
Dissipation de puissance (TC=25°C) — 83 W
Boîtier — PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis