IPB017N10N5LFATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB017N10N5LFATMA1 por Infineon e BSC027N04LSGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB017N10N5LFATMA1 BSC027N04LSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,05 $0,54
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 Linear FET —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) OptiMOS 3 (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 180 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C 313 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V 1.7 mΩ (max) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) -55°C to +150°C
Encapsulamento / Caixa PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (unlimited) 1
Avalanche Rated Yes —
Linear-Mode (SOA) Optimized Yes (OptiMOS Linear FET) —
Product Family — OptiMOS 3
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
Dissipação de potência (TC=25°C) — 83 W
Encapsulamento — PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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