IPB019N08N3GATMA1 vs AUIRF7640S2TR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB019N08N3GATMA1 von Infineon und AUIRF7640S2TR von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB019N08N3GATMA1 AUIRF7640S2TR
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,74 $1,18
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) HEXFET Power MOSFET (Automotive Grade)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 180 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 300 W —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 3.5 V —
Drive Voltage (Rds On Max) 6 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V 206 nC —
Input Capacitance (Ciss) 14.2 nF —
Output Capacitance (Coss) 3.84 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 3.84 nF —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C -40C to +150C [DATA_NEEDED: junction temp upper limit]
Gehäuse PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount) DirectFET SB (Surface Mount)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant [DATA_NEEDED: confirmed in datasheet]
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C — 5.8 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 21 A
Power Dissipation (PD) @ TA=25C — 2.4 W
Power Dissipation (PD) @ TC=25C — 30 W
On-Resistance RDS(on) — 36 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 7.3 nC
Automotive Qualification — AEC-Q101 (Automotive Grade per datasheet)
Primary Application — Automotive Class D audio amplifier output stage

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