IPB019N08N3GATMA1 vs AUIRF7640S2TR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB019N08N3GATMA1 par Infineon et AUIRF7640S2TR par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB019N08N3GATMA1 AUIRF7640S2TR
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,74 $1,18
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) HEXFET Power MOSFET (Automotive Grade)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 180 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 300 W —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 3.5 V —
Drive Voltage (Rds On Max) 6 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V 206 nC —
Input Capacitance (Ciss) 14.2 nF —
Output Capacitance (Coss) 3.84 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 3.84 nF —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C -40C to +150C [DATA_NEEDED: junction temp upper limit]
Boîtier PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount) DirectFET SB (Surface Mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant [DATA_NEEDED: confirmed in datasheet]
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C — 5.8 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 21 A
Power Dissipation (PD) @ TA=25C — 2.4 W
Power Dissipation (PD) @ TC=25C — 30 W
On-Resistance RDS(on) — 36 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 7.3 nC
Automotive Qualification — AEC-Q101 (Automotive Grade per datasheet)
Primary Application — Automotive Class D audio amplifier output stage

Fiches techniques et ressources

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