IPB019N08N3GATMA1 vs AUIRF7640S2TR Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB019N08N3GATMA1 por Infineon e AUIRF7640S2TR por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB019N08N3GATMA1 AUIRF7640S2TR
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,74 $1,18
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) HEXFET Power MOSFET (Automotive Grade)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 180 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 300 W —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 3.5 V —
Drive Voltage (Rds On Max) 6 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V 206 nC —
Input Capacitance (Ciss) 14.2 nF —
Output Capacitance (Coss) 3.84 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 3.84 nF —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C -40C to +150C [DATA_NEEDED: junction temp upper limit]
Encapsulamento PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount) DirectFET SB (Surface Mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant [DATA_NEEDED: confirmed in datasheet]
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C — 5.8 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 21 A
Power Dissipation (PD) @ TA=25C — 2.4 W
Power Dissipation (PD) @ TC=25C — 30 W
On-Resistance RDS(on) — 36 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 7.3 nC
Automotive Qualification — AEC-Q101 (Automotive Grade per datasheet)
Primary Application — Automotive Class D audio amplifier output stage

Fichas técnicas e recursos

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