IPB027N10N3GATMA1 vs IPP100N12S305AKSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB027N10N3GATMA1 von Infineon und IPP100N12S305AKSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB027N10N3GATMA1 IPP100N12S305AKSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,62 $2,05
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 3 (Trench MOSFET) OptiMOS trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 2.7 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values] —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C (TJ) —
Gehäuse PG-TO263-3 (D2PAK) TO-220 (PG-TO220-3-1)
Montageart Surface Mount Through Hole
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: exact °C/W value] —
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure] —
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V] —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Gepulster Drain-Strom — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc — 300 W
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Avalanche Energy, Single Pulse — [DATA_NEEDED: EAS]
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
Pin-Anzahl — 3
MSL Moisture Sensitivity Level — 1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% tested
RoHS Compliance — Compliant (Green product)

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