IPB027N10N3GATMA1 vs IPP100N12S305AKSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB027N10N3GATMA1 par Infineon et IPP100N12S305AKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB027N10N3GATMA1 IPP100N12S305AKSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,62 $2,05
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 3 (Trench MOSFET) OptiMOS trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 2.7 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values] —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C (TJ) —
Boîtier PG-TO263-3 (D2PAK) TO-220 (PG-TO220-3-1)
Type de montage Surface Mount Through Hole
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: exact °C/W value] —
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure] —
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V] —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Courant de drain pulsé — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc — 300 W
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Avalanche Energy, Single Pulse — [DATA_NEEDED: EAS]
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Nombre de broches — 3
MSL Moisture Sensitivity Level — 1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% tested
RoHS Compliance — Compliant (Green product)

Fiches techniques et ressources

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