IPB027N10N3GATMA1 vs IPP100N12S305AKSA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPB027N10N3GATMA1 제조: Infineon 및 IPP100N12S305AKSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPB027N10N3GATMA1 | IPP100N12S305AKSA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.62 | $2.05 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench MOSFET) | OptiMOS trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 120 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.4 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | 2.7 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values] | — |
| 동작 온도 범위 | -55°C to +175°C (TJ) | — |
| 패키지 | PG-TO263-3 (D2PAK) | TO-220 (PG-TO220-3-1) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Through Hole |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | [DATA_NEEDED: exact °C/W value] | — |
| Single Pulse Avalanche Energy (EAS) | [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V] | — |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| 펄스 드레인 전류 | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID value] |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Avalanche Energy, Single Pulse | — | [DATA_NEEDED: EAS] |
| 동작 접합 온도 | — | -55 °C to +175 °C |
| 핀 수 | — | 3 |
| MSL Moisture Sensitivity Level | — | 1 (260 °C peak reflow) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Tested | — | 100% tested |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Green product) |