IPB038N12N3GATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von IPB038N12N3GATMA1 von Infineon und BSC027N04LSGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | IPB038N12N3GATMA1 | BSC027N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,78 | $0,54 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 120V | OptiMOS 3 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | 120 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 300 W | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 3.8 mOhm (typical) | — |
| Gehäuse / Bauform | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | OptiMOS 3 (Trench) |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Betriebstemperaturbereich | -55C to +175C (junction) | -55°C to +150°C |
| Standard Package Quantity | 1000 (Tape & Reel) | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Transistortyp | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 2.5 W |
| Verlustleistung (TC=25°C) | — | 83 W |
| Gehäuse | — | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| MSL-Level | — | 1 |
| Halogenfrei | — | Yes |