IPB038N12N3GATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB038N12N3GATMA1 par Infineon et BSC027N04LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPB038N12N3GATMA1 | BSC027N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,78 | $0,54 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 120V | OptiMOS 3 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | 120 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 300 W | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 3.8 mOhm (typical) | — |
| Boîtier / Format | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | OptiMOS 3 (Trench) |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C (junction) | -55°C to +150°C |
| Standard Package Quantity | 1000 (Tape & Reel) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 2.5 W |
| Dissipation de puissance (TC=25°C) | — | 83 W |
| Boîtier | — | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| Niveau MSL | — | 1 |
| Sans halogène | — | Yes |